NVT2008PW Übersetzung - Spannungsniveaus +/-50mA 1,5ns 1-5,5V Integrierte Schaltungen ICs
Kategorie:
Integrierte Schaltkreise ics
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NVT2008PW
,NVT2008PW Integrierte Schaltkreise
Einleitung
NVT2008PW Übersetzung - Spannungsniveaus +/-50mA 1,5ns 1-5,5V
| Produktattribut | Attributivwert |
|---|---|
| N-XP | |
| Produktkategorie: | Übersetzung - Spannungsniveaus |
| RoHS: | Einzelheiten |
| NVT2008 | |
| GTL zu LVTTL | |
| SMD/SMT | |
| TSSOP-20 | |
| 1 V | |
| 5.5 V | |
| - 40 °C | |
| + 85 °C | |
| 1.5 ns | |
| Spirale | |
| Schnittband | |
| MouseReel | |
| Marke: | N-X-P Halbleiter |
| Hochleistungsstrom: | 50 mA |
| Logiktyp: | Zwei-Richtungs-Spannungsübersetzer |
| Niedrigleistungsstrom: | - 50 mA |
| Typ der Ware: | Übersetzung - Spannungsniveaus |
| 2500 | |
| Unterkategorie: | Logische Schaltflächen |
| Teil # Alias: | 935292076118 |
| Einheitsgewicht: | 0.004068 Unzen |
Allgemeine Beschreibung
Die NVT2008/NVT2010 sind bidirektionale Spannungsniveausumwandler, die ab 1,0 V betrieben werden
die bi-richtungsspannungsumwandlungen ermöglichen
mit einer Leistung von mehr als 50 W, jedoch nicht mehr als 50 W
Bitbreiten von 8 bis 10 Bit werden für Level-Translation-Anwendungen mit
Übertragungsgeschwindigkeiten < 33 MHz bei einem offenen Abflusssystem mit einer Kapazität von 50 pF und einer
Aufschwung von 1972.
Wenn der An- oder Bn-Anschluss niedrig ist, befindet sich die Klemme im eingeschalteten Zustand und ein geringer Widerstand
Der geringe Einsatzwiderstand (Ron) des An- und Bn-Anschlusses
Der Schalter erlaubt Verbindungen mit einer minimalen Ausbreitungsverzögerung.
Wenn die Spannung am Bn-Anschluss höher ist, ist die Spannung am An-Anschluss
Wenn der An-Anschluss HIGH ist, wird der Bn-Anschluss zum
Diese Funktionalität ermöglicht eine
Nahtlose Umwandlung zwischen höherer und niedrigerer Spannung, ausgewählt vom Benutzer, ohne
die Notwendigkeit einer Richtungskontrolle.
Wenn EN HIGH ist, ist der Übersetzerschalter eingeschaltet, und die An /0 sind mit der Bn /O verbunden,
Bei EN ist der Datenfluss zwischen den beiden Ports niedrig.
Der Übersetzerschalter ist ausgeschaltet und zwischen den Ports besteht ein hoher Impedanzzustand.
Der Schaltkreis ist so konzipiert, dass er durch Ve (B) versorgt wird, um den hohen Impedanzzustand während der
bei Auf- oder Abschaltung der Leistung muss EN niedrig sein.
Alle Kanäle haben dieselben elektrischen Eigenschaften und die Abweichung von
Dies ist ein Vorteil gegenüber diskreten
Transistor Spannungsumwandlungslösungen, da der Schalter symmetrisch gefertigt ist.
Der Übersetzer bietet einen hervorragenden ESD-Schutz für Geräte mit niedriger Spannung und bei
Gleichzeitig schützt sie weniger ESD-resistente Geräte.
Merkmale und Vorteile
Bietet bidirektionale Spannungsumwandlung ohne Richtungspin
■Mehr als 1,5 ns maximale Verbreitungsverzögerung
■Ermöglicht die Umwandlung des Spannungsniveaus zwischen:
◆1.0Vet (A) und 1.8V, 2.5V, 3.3V oder 5V Vrl (B)
◆1.2Vel ((A) und 1,8V, 2,5V, 3,3V oder 5V Vrl ((B)
◆1,8 V VrelA) und 3,3 V oder 5 V Vrel ((B)
◆2,5V VretA) und 5V Ve ((B)
◆3.3 V VrlA) und 5 V Vret ((B)
■Niedrig 3.5 0 Anschluss zwischen Eingangs- und Ausgangsanschlüssen im eingeschalteten Zustand sorgt für weniger Signalverzerrung
■5 V-Toleranz/O-Anschlüsse zur Unterstützung des Mixed-Mode-Signalbetriebs
■Hohe Impedanz An und Bn-Pins für EN = LOW
■Verriegelungsfreier Betrieb
■Flow durch Pinout für einfache Routing-Verfolgung von Leiterplatten
■ESD-Schutz übersteigt 4 kV HBM pro JESD22-A114 und 1000 V CDM pro JESD22-C101
■Angebotene Pakete: TSSOP20, DHVQFN20, TSSOP24, DHVQFN24 HVQFN24
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