IXFN38N100Q2 Diskrete Halbleitermodule 38 Ampere 1000V 0,25 Rds
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IXFN38N100Q2 Diskrete Halbleitermodule 38 Ampere 1000V 0,25 Rds
Kategorie:
IGBT-Modul
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Einleitung
IXFN38N100Q2 Diskrete Halbleitermodule 38 Ampere 1000V 0,25 Rds
| IXYS | |
| Produktkategorie: | Diskrete Halbleitermodule |
| RoHS: | Einzelheiten |
| LeistungsmOSFET-Module | |
| - Ja. | |
| - 30 V, + 30 V | |
| Aufbau des Fahrgestells | |
| SOT-227-4 | |
| - 55 °C | |
| + 150 °C | |
| IXFN38N100 | |
| Schlauch | |
| Marke: | IXYS |
| Ausstattung: | Einzigartig |
| Herbstzeit: | 15 ns |
| Höhe: | 9.6 mm |
| Id - Kontinuierlicher Abfluss: | 38 A |
| Längen: | 38.23 mm |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Pd - Energieverlust: | 890 W |
| Typ der Ware: | Diskrete Halbleitermodule |
| Rds On - Abflusswiderstand: | 250 mOhms |
| Aufstiegszeit: | 28 ns |
| Unterkategorie: | Diskrete Halbleitermodule |
| Handelsname: | HiPerFET |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Typische Verzögerungszeit für die Abschaltung: | 57 ns |
| Typische Verzögerungszeit des Einschaltens: | 25 ns |
| Vds - Abflussspannung: | 1 kV |
| Breite: | 25.42 mm |
| Einheitsgewicht: | 1.058219 Unzen |
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