GS8662D36BD-250 SRAM 1.8 oder 1.5V 2M x 36 72M SRAMIntegrate Schaltungen ICs

GSI-Technologie | |
Produktkategorie: | SRAM |
RoHS: | N |
72 Mbit | |
2 M x 36 | |
250 MHz | |
Parallel | |
1.9 V | |
1.7 V | |
730 mA | |
0 C | |
+ 70 °C | |
SMD/SMT | |
BGA-165 | |
Tray | |
Marke: | GSI-Technologie |
Speichertypen: | DDR |
Feuchtigkeitsempfindlich: | - Ja, das ist es. |
Typ der Ware: | SRAM |
Reihe: | GS8662D36BD |
Unterkategorie: | Speicher und Datenspeicher |
Handelsname: | SigmaQuad-II |
Typ: | SigmaQuad-II |
Wesentliche Merkmale
- Simultanes Lesen und Schreiben der Sigma QuadTM-Schnittstelle
- JEDEC-Standard-Pin-out und Verpackung
- Doppel-Doppeldatenrate-Schnittstelle
- Byte Schreibsteuerungen, die zum Zeitpunkt der Dateneingabe geprüft wurden
- 4 Lesen und Schreiben
- 1.8 V +100/ ¥100 mV Kernstromversorgung
- 1.5 V oder 1.8 V HSTL-Schnittstelle
- Pipeline-Lesevorgang
- Vollständig kohärente Lese- und Schreibpipelines
- ZQ-Pin für programmierbare Ausgangsantriebsstärke
- IEEE 1149.1 JTAG-konforme Grenzscan
- Pin-kompatibel mit aktuellen 144 Mb-Geräten
- 13 mm x 15 mm, 165 FPBGA
- RoHS-konforme 165-Bump-BGA-Paket verfügbar
- Produktfamilie mit 64 MB oder 72 MB
- Standardeinstellung für den SCD x36 Interleaved Pipeline-Modus
Simultanes Lesen und Schreiben SigmaQuadTM-Schnittstelle• JEDEC-Standard-Pinout und Paket• Dual
Double Data Rate-Schnittstelle• Byte-Schreibsteuerungen, die zur Datenzeit gezeigt werden• Burst of 4 Read and Write•
1.8 V +100/ ¥100 mV Kernstromversorgung• 1,5 V oder 1,8 V HSTL-Schnittstelle• Pipeline-Lesebetrieb• Vollständig kohärent
Lesen und Schreiben von Pipelines• ZQ-Pin für programmierbare Ausgangsantriebsstärke• IEEE 1149.1 JTAG-konforme Grenze
Scan• Pin-kompatibel mit aktuellen 144 Mb-Geräten• 165-Bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm Bump Pitch BGA-Paket•
Das RoHS-konforme 165-Bump-BGA-Paket steht zur Verfügung
die in Übereinstimmung mit dem SigmaQuad-II-SRAM-Pinout-Standard für separate I/Ossynchrone SRAMs gebaut sind.
Sie sind 75.497Die GS8662D08/09/18/36BD SigmaQuad SRAMs sind nur ein Element in der
Eine Reihe von Leistungs- und Spannungssysteme für die E/Ausgabe von HSTL-SRAMs, die für den Betrieb mit den für die Umsetzung der
Wirtschaftliche Hochleistungsnetzwerke.