ZXTN25100BFHTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 160MHz 1,25 W HF Transistoren
| Dioden eingebunden | |
| Produktkategorie: | Bipolare Transistoren - BJT |
| RoHS: | Einzelheiten |
| SMD/SMT | |
| SOT-23-3 | |
| NPN | |
| Einzigartig | |
| 100 V | |
| 170 V | |
| 7 V | |
| 200 mV | |
| 3 A | |
| 1.81 W | |
| 160 MHz | |
| - 55 °C | |
| + 150 °C | |
| ZXTN25100 | |
| Spirale | |
| Schnittband | |
| MouseReel | |
| Marke: | Dioden eingebunden |
| Höhe: | 1 mm |
| Längen: | 30,05 mm |
| Typ der Ware: | BJT - Bipolare Transistoren |
| Unterkategorie: | Transistoren |
| Technologie: | - Ja. |
| Breite: | 1.4 mm |
| Einheitsgewicht: | 0.000282 Unzen |
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Produktstatus
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Aktiv
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Transistortyp
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Strom - Kollektor (Ic) (maximal)
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3 A
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Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (max)
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100 V
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Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
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250 mV @ 300 mA, 3A
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Strom - Sammlergrenze (maximal)
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50nA (ICBO)
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Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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100 @ 10mA, 2V
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Leistung - Max.
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1.25 W
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Häufigkeit - Übergang
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160 MHz
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Betriebstemperatur
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-55 °C bis 150 °C (TJ)
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Typ der Montage
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Oberflächenbefestigung
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Packung / Gehäuse
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
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Lieferanten-Gerätepaket
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SOT-23-3
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Eigenschaften
BVcEo > 100 V
BVcEx > 170V Vorwärtsblockierungsspannung
BVEco > 6V Umkehrspannung
Ic = 3A hoher Dauerkollektorstrom
Niedrige Sättigungsspannung, VCE(SAT) < 80mV @1A
RCE ((SAT) = 67mQ für einen niedrigen gleichwertigen Aufstand
1.25W Leistungsausfall
hFE bis 3A für Hochstromverstärkung
Ergänzender PNP-Typ: ZXTP25100BFH
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform (Anmerkungen 1 und 2)
Gerät ohne Halogen und Antimon (Anmerkung 3)
Qualifiziert nach den Normen AEC-Q101 für hohe Auflösbarkeit
Mechanische Daten
Fall: SOT23
Gehäuse Material: geformter Kunststoff, "grüne" Formenverbindung;
UL-Flammbarkeitsklassifizierung 94V-0
Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020
Endgeräte: Veredelung - matte Zinnplattierte Bleisteine, per
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführte Methode wird angewendet.
Gewicht 0,008 Gramm (ungefähr)
Anwendungen
●Lampenrelais und Solenoid-Treiber
●Allgemeine Umstellung in der Automobil- und Industrieanwendungen
●Motorantrieb und Steuerung
- Typ: NPN (Negativ-Positiv-Negativ) Bipolar Junction Transistor
- Nennspannung: 100 V (höchste Spannung zwischen Kollektor und Emitter)
- Nennstrom: 3 A (maximaler Kollektorstrom)
- Frequenz: 160 MHz (höchste Frequenz, bei der sie wirksam arbeiten kann)
- Leistungsauflösung: 1,25 W (maximale Leistung, die vom Transistor aufgebraucht werden kann)
- Verpackungstyp: Oberflächenverpackung (SMT), die eine Verpackungstyp ist, die
- für die Montage auf der Oberfläche einer Leiterplatte (PCB) ohne Durchlöse-Lötung.
