MT40A1G16KNR-075:E SDRAM DDR4 Speicher IC 16Gbit Parallel 1,33 GHz 19 ns Integrierte Schaltung
MT40A1G16KNR-075: E
,MT40A1G16KNR-075:E Speicher-IC
,SDRAM DDR4-Speicher-IC
MT40A1G16KNR-075:E SDRAM - DDR4-Speicher IC 16Gbit Parallel 1,33 GHz 19 ns
| Mikrontechnologie | |
| Produktkategorie: | DRAM |
| RoHS: | Einzelheiten |
| SDRAM - DDR4 | |
| SMD/SMT | |
| FBGA-96 | |
| 16 Bit | |
| 1 G x 16 | |
| 16 Gbit | |
| 1.6 GHz | |
| 13.5 ns | |
| 1.26 V | |
| 1.14 V | |
| 118 mA | |
| 0 C | |
| + 95 °C | |
| USE-Behandlung | |
| Tray | |
| Marke: | Mikron |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | - Ja, das ist es. |
| Typ der Ware: | DRAM |
| Unterkategorie: | Speicher und Datenspeicher |
| Handelsname: | TwinDie |
| Einheitsgewicht: | 0.227649 Unzen |
Beschreibung
Die 16Gb (TwinDieTM) DDR4 SDRAM verwendet Microns 8Gb DDR4 SDRAM-Drei; zwei x8s kombiniert, um
Eine x16. Ähnliche Signale wie Mono x16, gibt es eine zusätzliche ZQ Verbindung für schnellere ZQ Kalibrierung und eine
BG1-Steuerung für die Adressierung von x8 erforderlich.
die in diesem Dokument nicht enthaltenen Spezifikationen.
an die TwinDie-Fertigungsstücknummer MT40A1G16.
Eigenschaften
• Verwendet zwei x8 8Gb Micron-Dosen, um eine x16 zu machen
• Einzelrang TwinDie • VDD = VDDQ = 1,2 V (1,14-1,26 V)
• 1,2 V VDDQ-abgeschlossene E/A
• Ball-out nach JEDEC-Standard
• Niedrigrangiges Paket
• TC von 0°C bis 95°C - 0°C bis 85°C: 8192 Aktualisierungszyklen in 64 ms - 85°C bis 95°C: 8192 Aktualisierungszyklen in 32 ms
Konfiguration der Optionen
- 64 Megx 16x 16 Banken x 1 Reihe
FBGA-Packung mit 96 Kugeln (Pb-frei)
-9,5 mm x 14 mm x 1,2 mm DieRev:A
- 8,0 mm x 14 mm x 1,2 mm DieRev: B, D
- 7,5 mm x 13,5 mm x 1,2 mm Die Rev:E
Zeitplanung - Zeitplanung des Zyklus
- 0,625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL= 21 (DDR4-2933)
- 0,750ns @ CL= 19 (DDR4-2666)
- 0,750ns @ CL= 18 (DDR4-2666)
- 0,833ns @ CL = 17 ((DDR4-2400)
- 0,833ns @ CL= 16 (DDR4-2400)
- 0,937ns @ CL= 15 (DDR4-2133)
- 1.071ns @ CL= 13 (DDR4- 1866)
Selbsterneuerung
- Das ist Standard.
Betriebstemperatur
- Gewerblich (0 °C≤Tc≤95 °C)
Überarbeitung
Die MT40A1G16KNR-075:E ist eine spezifische Teilnummer für ein Speichermodul.
MT40A1G16KNR-075:E auf der Grundlage der Suchergebnisse:
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Hersteller und Produkt:
- Die MT40A1G16KNR-075:E wird von Micron hergestellt, einem bekannten Unternehmen in der Speicher- und SpeicherindustrieDie Angaben sind zu entnehmen..
- Es ist ein Speichermodul, das zum DDR4 SDRAM (Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random) gehört.
- Zugriffsspeicher) FamilieDie Angaben sind zu entnehmen..
-
Spezifikationen:
- Kapazität: Die Nummer "1G" in der Teilnummer gibt eine Kapazität von 1 Gigabit (Gb) an, was 128 Megabytes entspricht
- (MB)Die Angaben sind zu entnehmen..
- Organisation: Das "16" in der Teilnummer stellt die Organisation des Speichermoduls dar, das 16 Bits beträgtDie Angaben sind zu entnehmen..
- Geschwindigkeit: Die Nummer "075" in der Bauteilnummer gibt die Geschwindigkeitsstufe des Moduls an.
- Übertragungsrate von 2133 Megatransfers pro Sekunde (MT/s)Die Angaben sind zu entnehmen..
- Spannung: Das "E" in der Bauteilnummer bedeutet den Spannungsgrad des Moduls, der 1,2 Volt beträgt.Die Angaben sind zu entnehmen..
-
Anwendung:
- Das MT40A1G16KNR-075:E-Speichermodul wird häufig in verschiedenen elektronischen Geräten wie Computern, Servern und anderen Systemen verwendet, die einen leistungsstarken Speicher benötigenDie Angaben sind zu entnehmen..
