2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Durch Loch TO-3P ((L)
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Durch Loch TO-3P ((L)
Kategorie:
HF-Transistoren
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Paket:
TO-3P-3
Montageart:
Durchs Loch
Einleitung
2SC5200-O(Q) Bipolarer (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W durch Loch
| Toshiba | |
| Produktkategorie: | Bipolare Transistoren - BJT |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Durch das Loch | |
| Die Anweisungen sind zu beachten. | |
| NPN | |
| Einzigartig | |
| 230 V | |
| 230 V | |
| 5 V | |
| 400 mV | |
| 15 A | |
| 150 W | |
| 30 MHz | |
| - | |
| + 150 °C | |
| 2SC | |
| Tray | |
| Marke: | Toshiba |
| Dauerkollektorstrom: | 15 A |
| Gleichstromkollektor/Basisgewinn hfe Min: | 55 |
| Gleichstromgewinn hFE Max: | 160 |
| Höhe: | 26 mm |
| Längen: | 20.5 mm |
| Typ der Ware: | BJT - Bipolare Transistoren |
| Unterkategorie: | Transistoren |
| Technologie: | - Ja. |
| Breite: | 5.2 mm |
| Einheitsgewicht: | 0.239863 Unzen |
Anwendungen für Leistungsverstärker
• Hohe Abbruchspannung: VCEO = 230 V (min)
• Ergänzend zu 2SA1943
• Geeignet für die Verwendung in 100-Watt-Hochfiduzialstimulatoren
Spezifikationen
- Hersteller: Toshiba
- Transistortyp: NPN
- Packungsart: TO-3PL
- Maximale Leistungsauflösung: 150 W
- Spannung des Sammler-Emittors (VCEO): 230 V
- Höchststrom des Kollektors: 15A
- Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
- Frequenz: 30 MHz
- Anbauart: Durch Loch
- Betriebstemperatur: 150°C TJ
- Teilstatus: Veraltet
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