GD200FFY120C6S Transistor IGBT-Modul 1,2 KV 309A Halbleiter
fabricant:
StarPower
Beschreibung:
GD200FFY120C6S Transistor IGBT-Modul 1,2 KV 309A Halbleiter
Kategorie:
IGBT-Modul
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Montageart:
SMD/SMT
Hervorheben:
1.2KV-TRANSISTOR IGBT-Module
,GD200FFY120C6S IGBT-Modul
,309A IGBT-Module für Transistoren
Einleitung
GD200FFY120C6S Transistor IGBT-Modul 1,2 KV 309A Halbleiter
| StarPower Europe AG | |
| Produktkategorie: | IGBT-Module |
| RoHS: | Einzelheiten |
| IGBT-Module | |
| Marke: | StarPower |
| Betriebsspannung: | 1.2 V |
| Verpackung: | Standards |
| Unterkategorie: | IGBT-Module |
Beschreibung
StarPower IGBT Power Module bietet eine ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit sowie Kurzschluss robust.
Es ist für Anwendungen wie Schweißmaschinen und UPS ausgelegt.
Eigenschaften
- Niedrige VCE (sat) Trench-IGBT-Technologie
- 10 μs Kurzschlussfähigkeit
- VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient
- Höchsttemperatur der Verbindung 175 °C
- Fall mit geringer Induktivität
- Schnelle und weiche Rückwärtswiederherstellung
- Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
Typische Anwendungen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Induktionsheizung
- Schweißmaschine
- Ich weiß.
Beschreibung
StarPower IGBT Power Module bietet eine ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit sowie Kurzschluss robust.
Es ist für Anwendungen wie Schweißmaschinen und UPS ausgelegt.
Eigenschaften
- Niedrige VCE (sat) Trench-IGBT-Technologie
- 10 μs Kurzschlussfähigkeit
- VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient
- Höchsttemperatur der Verbindung 175 °C
- Fall mit geringer Induktivität
- Schnelle und weiche Rückwärtswiederherstellung
- Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie
Typische Anwendungen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Induktionsheizung
- Schweißmaschine
- Ich weiß.
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Lagerbestand:
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MOQ:
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