CY14B104LA-ZS45XI NVSRAM (nicht flüchtige SRAM) Speicher IC 4Mbit Parallel 45ns 44-TSOP II
CY14B104LA-ZS45XI
,44-TSOP II NVSRAM-Speicher-IC
,4Mbit NVSRAM-Speicher-IC
CY14B104LA-ZS45XI NVSRAM (nicht flüchtige SRAM) Speicher-IC
| Infineon | |
| Produktkategorie: | NVRAM |
| CY14B104LA | |
| Tray | |
| Marke: | Infineon Technologies |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | - Ja, das ist es. |
| Typ der Ware: | NVRAM |
| Unterkategorie: | Speicher und Datenspeicher |
| Einheitsgewicht: | 0.015988 Unzen |
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Status des Teils
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Aktiv
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DigiKey Programmierbar
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Nicht bestätigt
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Speichertypen
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Nicht flüchtig
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Speicherformat
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Technologie
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NVSRAM (nicht flüchtige SRAM)
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Speichergröße
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Gedächtnisorganisation
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512K x 8
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Speicheroberfläche
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Parallel
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Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite
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45 ns
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Zugriffszeit
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45 ns
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Spannung - Versorgung
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2.7V ~ 3.6V
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Betriebstemperatur
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-40 °C bis 85 °C (TA)
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Art der Montage
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Oberflächenbefestigung
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Packung / Gehäuse
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Lieferanten-Gerätepaket
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44-TSOP II
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Basisproduktnummer
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Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd. ist ein groß angelegter Lieferant, der sich auf berühmte Halbleiter-Integrierte Schaltungen (ICS) aus der ganzen Welt spezialisiert hat.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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CY7C4142KV13-106FCXC SRAM 144Mb 1.3V 106Mhz 4Mx36 QDR-IV HP SRAM |
CY7C4142KV13-106FCXC SRAM 144Mb 1.3V 106Mhz 4Mx36 QDR-IV HP SRAM
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