JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Speicher-IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP integrierte Schaltungen ICs
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Speicher-IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP integrierte Schaltungen ICs
| Mikrontechnologie | |
| Produktkategorie: | NOR Flash |
| SMD/SMT | |
| TSOP-56 | |
| M29EW | |
| 512 Mbit | |
| 2.3 V | |
| 3.6 V | |
| 50 mA | |
| Parallel | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8 Bit/16 Bit | |
| Asynchron | |
| - 40 °C | |
| + 85 °C | |
| Tray | |
| Marke: | Mikron |
| Speichertypen: | NOR |
| Typ der Ware: | NOR Flash |
| Geschwindigkeit: | 110 ns |
| Standard: | Gemeinsame Flash-Schnittstelle (CFI) |
| Unterkategorie: | Speicher und Datenspeicher |
| Typ: | Startblock |
Eigenschaften
●2Gb = gestapelte Geräte (zwei 1Gb-Die)
- Vcc = 2,7 - 3,6 V (Programm, Löschen, Lesen)
- VccQ= 1,65- -Vcc (1/0 Puffer)
●Asynchrone Zufalls-/Seitenlesung
1 Seitengröße: 16 Wörter oder 32 Bytes
Einseitenzugriff: 25 ns
- Zufallszugriff: 100 ns (BGA) 110 ns (TSOP)
● Bufferprogramm: 512-Wörter-Bufferprogramm
● Programmzeit
一0.88us pro Byte (1,14 MB/s) TYP bei vollständiger Verwendung
512-Wort-Puffergröße im Pufferprogramm
● Organisation der Erinnerung
- Einheitliche Blöcke: jeweils 128 Kbyte oder 64 Kword
●Programmierungs-/ Löschsteuerung
- Eingebettete Byte (x8) / Wort (x16) Programm algo-
Rhythmus
●Programmieren/löschen, aussetzen und wieder aufnehmen
- Lesen Sie aus einem anderen Block während eines Programms
SUSPEND-Betrieb
- Lesen oder Programmieren eines anderen Blocks während einer Löschung
SUSPEND-Betrieb
BLANK CHECK-Betrieb zur Überprüfung eines gelöschten Blocks
● Unlock bypass, Block löschen, Chip löschen und schreiben an
Pufferfähigkeit
- Schnelle Puffer-/Batch-Programmierung
- Schnelle Block-/Chiplöschung
●Vpp/WP#-Schutz
- Schützt den ersten oder letzten Block unabhängig vom Block
Schutz-Einstellungen
Schutz von Software
- Schutz vor Flüchtigkeit
- Nichtflüchtige Schutz
- Passwortschutz
Ein Passwort Zugriff
●Erweiterter Speicherblock
一128-Wort (256-Byte) Block für dauerhafte, sichere
Identifizierung
Ein Programm, das in der Fabrik oder durch die
Kunden
●Niedriger Stromverbrauch: Standby-Modus
●JESD47-konform
一100,000 Mindest-ERASE-Zyklen pro Block
- Speicherung der Daten: 20 Jahre (TYP)
65nm Mehrstufenzellen-MLC) Prozesstechnik
Paket
Ein 56-Pin-TSOP, 14 x 20 mm
64 Kugeln befestigt BGA, 13x 11mm
●Grüne Pakete verfügbar
- RoHS-konform
- Halogenfrei
●Betriebstemperatur
- Umgebung: - 40 °C bis +85 °C
Tel: +86-755-23606019
Adresse: Zimmer 1205-1207, Gebäude Nanguang, Huafu Road, Futian, Shenzhen, Guangdong, China
Laneya.
Telefonnummer: +86-13420902155
E-Mail: sales@wisdtech.com.cn
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WhatsApp: +8613420902155
Skype: sales@wisdtech.com.cn
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2
NT1S-System NT1S-System NT1S-System
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT integrierte Schaltungen
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT1S-System NT1S-System NT1S-System |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT integrierte Schaltungen |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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