MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT integrierte Schaltungen
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
| Mikrontechnologie | |
| Produktkategorie: | DRAM |
| RoHS: | |
| SDRAM - DDR2 | |
| 512 Mbit | |
| 16 Bit | |
| 400 MHz | |
| FBGA-84 | |
| 32 M x 16 | |
| 400 PS | |
| 1.7 V | |
| 1.9 V | |
| 0 C | |
| + 85 °C | |
| MT47H | |
| Tray | |
| Marke: | Mikron |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | - Ja, das ist es. |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Typ der Ware: | DRAM |
| Unterkategorie: | Speicher und Datenspeicher |
| Versorgungsstrom - Max: | 95 mA |
| Einheitsgewicht: | 0.084795 Unzen |
Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd. ist ein groß angelegter Lieferant, der sich auf berühmte Halbleiter-Integrierte Schaltungen (ICS) aus der ganzen Welt spezialisiert hat.
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Es ist hauptsächlich Agent von CCTC Advanced Ceramic Capacitors
RICHTEK,SGMRICO,vertreibt auf AD,XILINX,ST,ALTERA,TI und alle Serie ICs und Widerstände,Induktor und Moulds.Die Produkte sind weit verbreitet im Bereich der tragbaren elektronischen Produkte.Technologie- und marktorientierte, Wir haben reiche Geschäftserfahrung gesammelt und ein vollständiges Managementsystem gebildet.es hat gute Kooperationsbeziehungen zu Herstellern und Agenten in den Vereinigten Staaten aufgebaut, Europa, Japan, Südkorea und Taiwan, und die Dienstqualität ständig verbessert. Daher hat es eine starke Unterstützung und ein hohes Vertrauen der Mehrheit der Benutzer erhalten!Das Unternehmen hat sich rasch entwickelt und langfristige freundschaftliche Kooperationsbeziehungen mit vielen Händlern und Herstellern im ganzen Land aufgebaut.. Das Unternehmen hält sich immer an das Entwicklungskonzept und den Zweck von "Qualität zuerst, vernünftiger Preis, schnelle Lieferung und Service zuerst".Es ist unsere Pflicht, dem Unternehmen den zufriedenstellendsten Service zu bieten.Durch ein starkes Marktdienstleistungsnetzwerk bieten wir dem Unternehmen standardisierte, professionelle, diversifizierte und umfassende Dienstleistungen von hoher Qualität.
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2
NT1S-System NT1S-System NT1S-System
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Speicher-IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP integrierte Schaltungen ICs
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT1S-System NT1S-System NT1S-System |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Speicher-IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP integrierte Schaltungen ICs |
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP Integrated Circuits ICs
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